耐高溫制程,無殘膠、無膠印,平整性良好;
適用于半導(dǎo)體封裝過種中,防止環(huán)氧滲透;
SPI-25:①總厚度:31~34μm ②基材厚度:25μm ③粘性:80~130g/in ④撕開力:<12g/in
SPI-25F:①總厚度:31~34μm ②基材厚度:25μm ③粘性:80~130g/in ④撕開力:<7g/in
SPI-25C:①總厚度:31~34μm ②基材厚度:25μm ③粘性:50~80g/in ④撕開力:<12g/in
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耐高溫制程,無殘膠、無膠印,平整性良好;
適用于半導(dǎo)體封裝過種中,防止環(huán)氧滲透;
SPI-25:①總厚度:31~34μm ②基材厚度:25μm ③粘性:80~130g/in ④撕開力:<12g/in
SPI-25F:①總厚度:31~34μm ②基材厚度:25μm ③粘性:80~130g/in ④撕開力:<7g/in
SPI-25C:①總厚度:31~34μm ②基材厚度:25μm ③粘性:50~80g/in ④撕開力:<12g/in